WEKO3
アイテム
高精度バイアス回路によるパワーMOSFETのON抵抗安定化に関する研究
http://hdl.handle.net/10458/311
http://hdl.handle.net/10458/31108c22e82-9e23-42eb-abe8-06a4957d78ef
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00002428232.pdf (885.0 kB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-06-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高精度バイアス回路によるパワーMOSFETのON抵抗安定化に関する研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Stabilization for the ON-Resistance of a Power MOS FET using bias circuits with high accuracy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | コウセイド バイアス カイロ ニ ヨル パワー MOSFET ノ ON テイコウ アンテイカ ニ カンスル ケンキュウ | |||||
| 著者 |
生島, 幸博
× 生島, 幸博× 石川, 昭一郎× 淡野, 公一× 石塚, 興彦× Ikushima, Yukihiro× Ishikawa, Shouichirou× Ishizuka, Okihiko |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Power electronic devices are widely used in industries and commercial fields. Recently high-speed M0S devices have been exchanged instead of SCR. In this paper, we design a bias circuit of a MOS switch with high accuracy. The circuit for stabilizing on-resistance of the MOS FET at input voltage 3 to 5 [V] and temperature -50 to 85 [℃] is designed. The bias circuit consists of a CR oscillator, a charge pump circuit with the 4-time voltage and a constant voltage circuit. A CR oscillator contains resistors, capacitors and a CMOS inverter. The oscillation frequency is determined by the values of C and R. By using the oscillation frequency as a control clock, a charge pump circuit with the 4-time voltage is operated as expected. Using the 4-time voltage of the charge pump circuit, the constant voltage circuit holds the output voltage of 9.9 [V] without influence of the input voltage and a room temperature. Finally, the designed MOS switch has a low and accurate on-resistance. Their performances are verified using the HSPICE simulator with 0.5μm CMOS process device parameters. |
|||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 33, p. 117-124, 発行日 2004-10 |
|||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
