WEKO3
アイテム
原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響
http://hdl.handle.net/10458/4697
http://hdl.handle.net/10458/46975b2a6c86-e85a-4d2d-afb5-77c1b0379e20
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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engineering27-30.pdf (781.7 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2013-12-24 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Effects of Gas Flow Sequence on GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | Atomic Layer epitaxy, gas flow sequence, Gallium arsenide nitride, Residual Impurities, selflimiting mechanism | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | ゲンリョウ キョウキュウ シーケンス ノ チガイ ガ ゲンシソウ エピタキシーホウ ニヨル GaAsN ハクマク セイチョウ ニ アタエル エイキョウ | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
芳賀, 章博
× 芳賀, 章博× 貞任, 萌× 原口, 智宏× 鈴木, 秀俊
WEKO
14196
× 福山, 敦彦
WEKO
7289
× 尾関, 雅志× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× 芳賀, 章博× 貞任, 萌× 原口, 智宏 |
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | GaAs(N) films have been grown on semi-insulating GaAs(001) substrate at substrate temperatures of 480, 500 and 520 °C by atomic layer epitaxy (ALE). We investigated the effects of gas flow sequences on self-limiting mechanism (SLM), N incorporation, and residual impurities as a first step to grow GaAsN on precisely controlled surface by ALE. N precursor molecules were supplied to Ga (On-Ga) and As terminated surfaces (On-As). The On-As case showed rough surface and their crystal qualities were not good. In On-Ga case, SLM functioned well in whole growth temperature region and On-Ga sample showed low density of residual impurities. These demonstrated that On-Ga sequence is effective to grow GaAsN thin films on precisely controlled surface by ALE technique. | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 42, p. 27-30, 発行日 2013-08-30 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||
