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ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長
http://hdl.handle.net/10458/1610
http://hdl.handle.net/10458/1610cbb027bb-d5db-4e3f-9bf2-7cdd5064de56
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005015919.pdf (574.7 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2008-11-11 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Crystal growth of AgInSe2 bulk crystals grown by Hot-Press Method | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Chalcopyrite, AgInSe2, Hot-Press, bulk crystal | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | ホットプレスホウ ニ ヨル AgInSe2 バルク ケッショウ ノ ケッショウ セイチョウ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
木下, 綾
× 木下, 綾× 白幡, 泰浩× 吉野, 賢二× 碇, 哲雄× Kinoshita, Aya× 白幡, 泰浩 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Undoped polycrystalline AgInSe2 bulk crystals were successfully grown at low temperature (700℃) using Hot-Press Method. The starting materials were stoichiometrically mixed Ag2Se and In2Se3 powders. The size of all samples was 2 cm in diameter. The samples were evaluated X-ray diffraction, SEM, EPMA, Density measurement, Hall measurement and optical transmittance measurement. We obtained AgInSe2 single phase at 700℃. The grain size was approximately 80 nm and the presence of lattice defects such as Se atom in the Ag site and/or Se atom in the In site might lead to an enhancement in n-type electrical conductivity at 700℃. The crystal at 700℃ had a resistivity of 0.16 Ωcm, a carrier concentration of (7.6×10)16 cm-3 and a mobility of 73 cm2V-1s-1 obtained by Hall measurement at RT. From optical transmittance measurement, the bandgap was estimated to be 1.204 eV at RT. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 37, p. 99-106, 発行日 2008-08-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
木下, 綾, 白幡, 泰浩, 吉野, 賢二, 碇, 哲雄, Kinoshita, Aya, 白幡, 泰浩, 2008, ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長: 宮崎大学工学部, 99–106 p.
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