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  1. 工学部
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
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  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 33号

高精度バイアス回路によるパワーMOSFETのON抵抗安定化に関する研究

http://hdl.handle.net/10458/311
http://hdl.handle.net/10458/311
08c22e82-9e23-42eb-abe8-06a4957d78ef
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00002428232.pdf KJ00002428232.pdf (885.0 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-06-28
タイトル
タイトル 高精度バイアス回路によるパワーMOSFETのON抵抗安定化に関する研究
言語 ja
タイトル
タイトル Stabilization for the ON-Resistance of a Power MOS FET using bias circuits with high accuracy
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル コウセイド バイアス カイロ ニ ヨル パワー MOSFET ノ ON テイコウ アンテイカ ニ カンスル ケンキュウ
著者 生島, 幸博

× 生島, 幸博

WEKO 15857

ja 生島, 幸博

ja-Kana イクシマ, ユキヒロ

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石川, 昭一郎

× 石川, 昭一郎

WEKO 15858

ja 石川, 昭一郎

ja-Kana イシカワ, ショウイチロウ

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淡野, 公一

× 淡野, 公一

WEKO 7152
e-Rad_Researcher 50260740

ja 淡野, 公一

ja-Kana タンノ, コウイチ

en Tanno, Koichi


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石塚, 興彦

× 石塚, 興彦

WEKO 12077

ja 石塚, 興彦

ja-Kana イシズカ, オキヒコ

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Ikushima, Yukihiro

× Ikushima, Yukihiro

WEKO 15861

en Ikushima, Yukihiro

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Ishikawa, Shouichirou

× Ishikawa, Shouichirou

WEKO 15862

en Ishikawa, Shouichirou

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Ishizuka, Okihiko

× Ishizuka, Okihiko

WEKO 12081

en Ishizuka, Okihiko

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Power electronic devices are widely used in industries and commercial fields. Recently high-speed M0S devices
have been exchanged instead of SCR. In this paper, we design a bias circuit of a MOS switch with high accuracy. The circuit for stabilizing on-resistance of the MOS FET at input voltage 3 to 5 [V] and temperature -50 to 85
[℃] is designed. The bias circuit consists of a CR oscillator, a charge pump circuit with the 4-time voltage and
a constant voltage circuit. A CR oscillator contains resistors, capacitors and a CMOS inverter. The oscillation
frequency is determined by the values of C and R. By using the oscillation frequency as a control clock, a
charge pump circuit with the 4-time voltage is operated as expected. Using the 4-time voltage of the charge
pump circuit, the constant voltage circuit holds the output voltage of 9.9 [V] without influence of the input
voltage and a room temperature. Finally, the designed MOS switch has a low and accurate on-resistance. Their
performances are verified using the HSPICE simulator with 0.5μm CMOS process device parameters.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 33, p. 117-124, 発行日 2004-10
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 00:14:30.844870
Ver.1 2023-05-15 11:19:11.160723
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