WEKO3
アイテム
フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価
http://hdl.handle.net/10458/5881
http://hdl.handle.net/10458/58813412b748-6337-4e57-9066-b9861b56dc8f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文 (676.2 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Investigation of Radiative Recombination of Semi-Polar (1-101)GaN Films Grown on Patterned (001)Si Substrate | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | (11̅01)GaN grown on patterned (001)Si, Photoreflectance, Photoluminescence, X-ray diffraction | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||
| 著者 |
杉原, 圭二
× 杉原, 圭二× 中野, 真理菜× 岩元, 杏里× 大堀, 大介× 本田, 善央× 天野, 浩× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× 福山, 敦彦
WEKO
7289
× Sugihara, Keiji× Nakano, Marina× 岩元, 杏里× 大堀, 大介× 本田, 善央× 天野, 浩 |
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| 抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||
| 内容記述 | We investigated the radiative recombination properties of semi-polar (11̅01)GaN films grown on patterned (001)Si substrate by using photoreflectance (PR) and photoluminescence (PL) spectroscopies. The X-ray diffraction (XRD) method was also used for investigating strain content. Estimated bandgap energy (Eg) by Kramers-Kronig transformation of PR spectrum showed about 35 meV lower energy side than that of polar (0001)GaN. It was found that the strain of growth direction (=[111]Si) did not exist from the XRD 2- scan. Therefore, reduction of Eg may be caused by the tensile strain along the [11̅0]Si or [112̅-]Si direction. From the low temperature PL and PR measurements, we could confirm the several radiative peaks caused by donor-bound exciton, acceptor-bound exciton, and donor-to-acceptor pair recombination. | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 45, p. 105-109, 発行日 2016-07-31 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
