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スパッタ法によるSiC:H薄膜の光学・電気特性における高周波電力依存性
http://hdl.handle.net/10458/2375
http://hdl.handle.net/10458/2375ca350c3f-78a9-4e27-95a8-0fe9595d37ff
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005628508.pdf (3.0 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-10-29 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | スパッタ法によるSiC:H薄膜の光学・電気特性における高周波電力依存性 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | R.F. Power Dependence on Optical and Electrical Properties of SiC:H Films Prepared by Magnetron Sputtering | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Sputtering, SiC, Amorphous, Microcrystallization | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | スパッタホウ ニヨル SiC:H ハクマク ノ コウガク・デンキトクセイ ニオケル コウシュウハ デンリョク イゾンセイ | |||||
| 著者 |
山脇, 翔太
× 山脇, 翔太× 齋藤, 順雄× 前田, 幸治× 西岡, 賢祐× Yamawaki, Shota× 齋藤, 順雄× Nishioka, Kensuke |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | SiC:H films have been deposited by reactive r.f. magnetron sputtering of Si target in hydrogen and methane (diluted by argon) gas mixtures. The effects of hydrogen partial pressme ratio R_H and r.f. power P on the structural, optical, and electrical properties of the films were investigated. With increasing R_H above 90%, a weak SiC (110) peak was observed by X-ray diffraction around 2 θ=60°. On the basis of this condition, the dependence of r.f power P was examined. As a result, it was found that mlcrocrystallization was enhanced by increasing r.f. power. | |||||
| 言語 | en | |||||
| bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 38, p. 31-38, 発行日 2009-09-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| item_10002_source_id_11 | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
山脇, 翔太, 齋藤, 順雄, 前田, 幸治, 西岡, 賢祐, Yamawaki, Shota, 齋藤, 順雄, Nishioka, Kensuke, 2009, スパッタ法によるSiC:H薄膜の光学・電気特性における高周波電力依存性: 宮崎大学工学部, 31–38 p.
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