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  1. 工学部
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
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  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 37号

STM による薄膜の形成初期過程の観察

http://hdl.handle.net/10458/1627
http://hdl.handle.net/10458/1627
f0f5f9e1-4299-4536-99a5-804889c3683e
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00005016023.pdf KJ00005016023.pdf (406.6 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2008-11-11
タイトル
タイトル STM による薄膜の形成初期過程の観察
言語 ja
タイトル
タイトル Observation of Initial Stage of Thin Film Formation Process by STM
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 PLD, STM, TOF, Si(111), Atomic level, Surface, FeSi2, Si3N4
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル STM ニ ヨル ハクマク ノ ケイセイ ショキ カテイ ノ カンサツ
言語 ja-Kana
著者 中村, 幸司

× 中村, 幸司

WEKO 12426

ja 中村, 幸司

ja-Kana ナカムラ, コウジ

en Nakamura, Koji

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岡崎, 裕太郎

× 岡崎, 裕太郎

WEKO 14041

ja 岡崎, 裕太郎

ja-Kana オカザキ, ユウタロウ

en Okazaki, Yutaro


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横谷, 篤至

× 横谷, 篤至

WEKO 12038
e-Rad_Researcher 00183989

ja 横谷, 篤至

ja-Kana ヨコタニ, アツシ

en Yokotani, Atsushi


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岡崎, 裕太郎

× 岡崎, 裕太郎

WEKO 14041

ja 岡崎, 裕太郎

ja-Kana オカザキ, ユウタロウ

en Okazaki, Yutaro


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Techniques for fabrication of ultra thin films of good quality have become to be important for the production of very small size semiconductor and optical devices which have a comparable size as several times as an interatomic distance of general materials. In such thin and small films, the structure of the interface has a strong affection to the properties of the films. From this point of view, we think that it is very important to know the information of the interface between the substrate and the films. So we tried to observe the initial stage in which adsorption of molecules and atoms composing the film onto the substrate surface in the scale at an atomic level. We used the ultra-high vacuum STM for the observation. We used a clean Si(111)-7×7 substrate for the PLD experiment, Q-switched 2ω-YAG laser, ε-FeSi and Si3N4 target were mainly used. As a result, adsorption sites and possibilities of ablated particles from these targets were clarified. We also observed the clustering and the dissociative adsorption in FeSi2 and Si3N4 film formation process, respectively. We think that the quality of the film deposited on the single crystalline substrate by the PLD method is strongly affected by these phenomena.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 37, p. 201-206, 発行日 2008-08-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-29 23:47:23.218500
Ver.1 2023-05-15 10:42:39.401378
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Cite as

中村, 幸司, 岡崎, 裕太郎, 横谷, 篤至, 岡崎, 裕太郎, 2008, STM による薄膜の形成初期過程の観察: 宮崎大学工学部, 201–206 p.

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