WEKO3
アイテム
原子層エピタキシー法により作製したGaAs薄膜の評価
http://hdl.handle.net/10458/1626
http://hdl.handle.net/10458/1626c5555d80-ef67-4fcb-9dfc-d71dace552a7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00005016021.pdf (182.3 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2008-11-11 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | 原子層エピタキシー法により作製したGaAs薄膜の評価 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Growth condition of Homoepitaxial GaAs layers grown by Atomic Layer Epitaxy | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | atomic layer epitaxy, GaAs, homoepitaxial growth, Photoluminescence, Raman scattering, Coupled Plasmon-LO-Phonon modes | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||
| その他のタイトル | ゲンシソウ エピタキシーホウ ニ ヨリ サクセイ シタ GaAsハクマク ノ ヒョウカ | |||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||
| 著者 |
藤田, 陽
× 藤田, 陽× 川野, 雅史× 陣内, 宏基× 前田, 幸治
WEKO
12047
× 尾関, 雅志× 藤田, 陽× Kawano, Masashi× Jinnai, Hironori |
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | Homoepitaxial GaAs layers grown on GaAs(001) by atomic layer epitaxy(ALE) technic are investigated. Growth temperatures are at 460, 500 and 540℃. Carrer concentrations of films were evaluated by a hall measurement technic and the parameter of fitting from Raman spectrum assumed by coupled plasmon-LO-phonon modes. The hole concentration was a maximum value at 500℃ growth intensity of photoluminescence at 10K has a maximum at 500℃ growth film. Hull width at half maximum of the LO phonon mode in raman spectrum also showed at the minimum the temperature.The growth temperature is suitable at 500℃ for GaAs film by ALE. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 37, p. 197-200, 発行日 2008-08-30 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||
| item_10002_source_id_11 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
