ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

  • RootNode

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 36号

原子層エピタキシーによるGaMnAs/GaAs(001)成長

http://hdl.handle.net/10458/835
http://hdl.handle.net/10458/835
a6d3a01b-3a43-44cf-bcc6-a0ca9bbbdada
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00004682865.pdf KJ00004682865.pdf (488.3 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-10-30
タイトル
タイトル 原子層エピタキシーによるGaMnAs/GaAs(001)成長
言語 ja
タイトル
タイトル Atomic layer epitaxy of GaMnAs on GaAs(001)
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 self-limiting mechanism, atomic layer epitaxy (ALE), GaMnAs, MnAs
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル ゲンシソウ エピタキシー ニ ヨル GaMnAs/GaAs(001) セイチョウ
言語 ja-Kana
著者 藤田, 陽

× 藤田, 陽

WEKO 14030

ja 藤田, 陽

ja-Kana フジタ, アキラ

en Fujita, Akira


Search repository
尾関, 雅志

× 尾関, 雅志

WEKO 11920

尾関, 雅志

ja-Kana オゼキ, マサシ

en Ozeki, Masashi

Search repository
原口, 智宏

× 原口, 智宏

WEKO 28621

ja 原口, 智宏

ja-Kana ハラグチ, トモヒロ

en Haraguchi, Tomohiro


Search repository
藤田, 陽

× 藤田, 陽

WEKO 14030

ja 藤田, 陽

ja-Kana フジタ, アキラ

en Fujita, Akira


Search repository
原口, 智宏

× 原口, 智宏

WEKO 28621

ja 原口, 智宏

ja-Kana ハラグチ, トモヒロ

en Haraguchi, Tomohiro


Search repository
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 A self-limiting mechanism in atomic layer epitaxy (ALE) has been investigated for the heterogrowth of GaMnAs on
GaAs(001) substrate. In the ALE, trimethylgallium, bismethylcyclopentadienylmanganese and trismethylaminoarsine
were used as source materials of gallium, manganese and arsenic atoms, respectively. Although the growth of GaMnAs
was carried out at a high growth temperature of 500℃, a distinct self-limiting mechanism was observed for the
manganese alloy composition up to 6% and the epitaxial layer had no indications of including MnAs phase. The layer
showed an atomically flat surface morphology reflecting the self-limiting growth. The self-limiting mechanism was
largely affected by the lattice mismatch between GaMnAs epitaxial layer and GaAs substrate. When the manganese
alloy composition exceeded 7%, the self-limiting mechanism was broken and MnAs precipitates were observed in the
epitaxial layer.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 36, p. 43-47, 発行日 2007-08-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.2 2023-07-29 23:37:15.919534
Ver.1 2023-05-15 10:38:32.535954
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3