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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 35号

フォトルミネッセンス法による高濃度SiドープGaAsのバンドギャップとフェルミエネルギーの決定

http://hdl.handle.net/10458/426
http://hdl.handle.net/10458/426
b301488f-85bb-497b-96df-3415ede1605c
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00004439501.pdf KJ00004439501.pdf (621.5 kB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-06-28
タイトル
タイトル フォトルミネッセンス法による高濃度SiドープGaAsのバンドギャップとフェルミエネルギーの決定
言語 ja
タイトル
タイトル Determination of band gap and Fermi energy in heavily Si doped GaAs by photoluminescence
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Photoluminescence, GaAs, Molecular beam epitaxy, conduction band tailing, Fermi energy, line-shape analysis
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル フォトルミネッセンスホウ ニ ヨル コウノウド Si ドープ GaAs ノ バンド ギャップ ト フェルミ エネルギー ノ ケッテイ
言語 ja-Kana
著者 安田, 慎太郎

× 安田, 慎太郎

WEKO 12445

ja 安田, 慎太郎

ja-Kana ヤスダ, シンタロウ

en Yasuda, Shintaro

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大村, 拓泰

× 大村, 拓泰

WEKO 12446

大村, 拓泰

ja-Kana オオムラ, ヒロヤス

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黒川, 英太郎

× 黒川, 英太郎

WEKO 12447

ja 黒川, 英太郎

ja-Kana クロカワ, エイタロウ

en Kurokawa, Eitaro

Search repository
尾関, 雅志

× 尾関, 雅志

WEKO 11920

ja 尾関, 雅志

ja-Kana オゼキ, マサシ

en Ozeki, Masashi

Search repository
碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad_Researcher 70113214

ja 碇, 哲雄
宮崎大学

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo
University of Miyazaki

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前田, 幸治

× 前田, 幸治

WEKO 12047
e-Rad_Researcher 50219268

ja 前田, 幸治
宮崎大学

ja-Kana マエダ, コウジ

en Maeda, Koji
University of Miyazaki

Search repository
安田, 慎太郎

× 安田, 慎太郎

WEKO 12445

ja 安田, 慎太郎

ja-Kana ヤスダ, シンタロウ

en Yasuda, Shintaro

Search repository
Omura, Hiroyasu

× Omura, Hiroyasu

WEKO 12452

en Omura, Hiroyasu

Search repository
黒川, 英太郎

× 黒川, 英太郎

WEKO 12447

ja 黒川, 英太郎

ja-Kana クロカワ, エイタロウ

en Kurokawa, Eitaro

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Abstract
Photoluminescence(PL) spectra were measured on Si-doped GaAs grown by molecular beam
epitaxy at 77K and room temperature. The electron concentration of the samples are ranged from
4.1xl0 16cm-3 to 4.7xl0 18cm-3. Band-gap, tailing of the conduction band and Fermi energy were
calculated from the line-shape analysis of PL spectra using the model of Kane. We observed Burstein
Moss shift and determined band-gap narrowing as a function of the electron concentration. These
results are agreed with previous results. The methods are useful to analyze heavy doped GaAs for
other kind of impurities.
言語 en
bibliographic_information ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 35, p. 131-135, 発行日 2006-08-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
item_10002_source_id_11
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-29 23:32:43.100582
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