WEKO3
アイテム
飛行時間型質量分析法による表面微量分析技術の開発
http://hdl.handle.net/10458/250
http://hdl.handle.net/10458/250bbc13531-d99d-4365-8f07-698e54db8a92
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00002425500.pdf (539.8 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-06-28 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | 飛行時間型質量分析法による表面微量分析技術の開発 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Development of Surface Microanalysis technology by Time of Flight Mass Spectrometry | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | Time of flight mass spectrometer, Laser ablation ionization, Composition analysis, Microanalysis system | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||
| その他のタイトル | ヒコウ ジカンガタ シツリョウ ブンセキホウ ニ ヨル ヒョウメン ビリョウ ブンセキ ギジュツ ノ カイハツ | |||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||
| 著者 |
吉岡, 章夫
× 吉岡, 章夫× 上村, 一秀× 柳田, 英明× 黒澤, 宏× 横谷, 篤至
WEKO
12038
× Yoshioka, Akio× Uemura, Kazuhide× Yanagita, Hideaki× Kurosawa, Kou× Yokotani, Atushi |
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | Abstract According as element densities in electronic circuit have become extremely high in recent years, it is important to understand the information about surfaces and interfaces of materials. Then, systems having topography and composition analyses are required. In this research, we tried to build a compact and low price surface microanalysis system using laser ablation ionization and time of flight mass spectrometer (TOF-MS). The mass resolution of the produced equipment was two or less in mass-to-charge ratio. The minimum volume of mass for detection was 3.3pg. We measured species and ablation threshold from natural silicon wafer and silica glass. Based on the results, we explained the thermal dissociation mechanisms of silicon wafer with the oxide film. We performed quantitative analysis for 4% BF2+ doped silicon wafer and could determine the B+ composition. |
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| 言語 | en | |||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 32, p. 107-113, 発行日 2003-07 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
