WEKO3
アイテム
分子線エピタキシー法によるMnAsおよびGaMnAs成長過程の研究
http://hdl.handle.net/10458/414
http://hdl.handle.net/10458/414dea70dc0-e509-4221-b453-2ab391fe36a1
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2007-06-28 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 分子線エピタキシー法によるMnAsおよびGaMnAs成長過程の研究 | |||||
言語 | ja | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Growth Mechanism of MnAs and GaMnAs by Molecular Beam Epitaxy | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | MnAs, GaMnAs, MBE, Growth mechanism | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル MnAs オヨビ GaMnAs セイチョウ カテイ ノ ケンキュウ | |||||
言語 | ja-Kana | |||||
著者 |
黒川, 英太郎
× 黒川, 英太郎× 尾関, 雅志× 安田, 慎太郎× 前田, 幸治× 黒川, 英太郎× 安田, 慎太郎 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Abstract MnAs and GaMnAS Were grown by low-temperature molecular beam epitaxy on GaAs(OO1) substrate. Reflection high energy diffraction (RHEED) and the X-ray diffraction (XRD) measurements showed that MnAs (11OO) was parallel to the GaAs(OO1). The surface morphology of grown layers had a strong correlation with the growth rate and the island appearance in the initial stage of the growth. From the XRD measurement the lattice constant of GaMnAs was found to deviate from Vegard's law for a larger Mn content. |
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言語 | en | |||||
bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 35, p. 59-64, 発行日 2006-08-30 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
言語 | ja | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
言語 | en | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 05404924 | |||||
item_10002_source_id_11 | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00732558 | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |