WEKO3
アイテム
低エネルギーNイオン注入Siのアニール効果と表面格子歪の評価
http://hdl.handle.net/10458/408
http://hdl.handle.net/10458/408369de5b5-eeb3-4725-a3b0-c12aa14247fc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00004439483.pdf (1.1 MB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-06-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 低エネルギーNイオン注入Siのアニール効果と表面格子歪の評価 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Surfaces Lattice Distortions in Silicon Implanted with Low-Energy Nitrogen Ions after Annealing | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Oxide film, Nitrogen, Implantation, X-ray topography, Lattice distortion, Annealing | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | テイエネルギー Nイオン チュウニュウ Si ノ アニール コウカ ト ヒョウメン コウシワイ ノ ヒョウカ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
長友, 秀樹
× 長友, 秀樹× 福森, 太一郎× 黒木, 正子× 明石, 義人× 二神, 光次× Nagatomo, Hideki× Fukumori, Taichiro× 黒木, 正子 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Czochralski-grown Si(100) wafers with a stripe of oxide film are implanted by N+ accelerated at 8keV and at 1.5keV to the dose of 1xl0(15)cm-2 . Lattice distortions produced by the implantation are observed by the X-ray reflection topography under simultaneously stimulated total reflection. The contrast caused by the lattice expansions is observed in the implanted region of as-implanted specimen. This contrast is disappeared after the annealing at 700°C and the other contrast is appeared at the edge of the implanted region. This new contrast is identified to be caused by the increase in lattice spacing from the systematic topographs taken around the Bragg reflection. It is confirmed that the increase in lattice spacing can be recovered after the 90min annealing at 700°C. |
|||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 35, p. 25-29, 発行日 2006-08-30 |
|||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
