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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 34号

原子層エピタキシーによるInAs/GaAsとGaP/GaAsへテロ構造、歪超格子の成長機構の研究

http://hdl.handle.net/10458/362
http://hdl.handle.net/10458/362
17583975-6679-4922-b6c9-0312342d89e1
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00003579353.pdf KJ00003579353.pdf (622.8 kB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-06-28
タイトル
タイトル 原子層エピタキシーによるInAs/GaAsとGaP/GaAsへテロ構造、歪超格子の成長機構の研究
言語 ja
タイトル
タイトル A comparative study of the growth mechanism of InAs/GaAs and GaP/GaAs heterostructures and strained layered superlattices by atomic layer epitaxy
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Growth method, Atomic layer epitaxy, Semiconducting, III-V materials
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル ゲンシソウ エピタキシー ニ ヨル InAs/GaAs ト GaP/GaAs ヘテロ コウゾウ ワイチョウコウシ ノ セイチョウ キコウ ノ ケンキュウ
言語 ja-Kana
著者 原口, 智宏

× 原口, 智宏

WEKO 28621

ja 原口, 智宏


ja-Kana ハラグチ, トモヒロ

en Haraguchi, Tomohiro

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尾関, 雅志

× 尾関, 雅志

WEKO 11920

尾関, 雅志

ja-Kana オゼキ, マサシ

en Ozeki, Masashi

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武内, 健

× 武内, 健

WEKO 11921

ja 武内, 健

ja-Kana タケウチ, タケシ

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原口, 智宏

× 原口, 智宏

WEKO 28621

ja 原口, 智宏


ja-Kana ハラグチ, トモヒロ

en Haraguchi, Tomohiro

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Takeuchi, Takeshi

× Takeuchi, Takeshi

WEKO 11924

en Takeuchi, Takeshi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Abstract
A self-limiting mechanism in atomic layer epitaxy (ALE) has been investigated for the
heterostructures and superlattices of III - V compounds. InAs/InAs(OO1), InAs/GaAs(OO1),
GaAs/InAs(OO1), InxGa1-xAs/GaAs(OOl), GaP/GaP(OO1), and GaP/GaAs(OO1), (InAs)m(GaAs)n/GaAs(OO1)
were grown by pulse-jet-epitaxy with trimethylgallium, trimethylindium, trisdimethylaminoarsine,
trisdimethylaminophosophine, arsine and phosphine as source materials. The self-limiting
mechanism was largely affected by lattice mismatch between epitaxial layer and the substrate and
by an atomic level suface morphology. The incorporation of misfit dislocation at the
heterointerface played an important role in the self-1limiting mechanism. The strained-layered
superlattice of (InAs)m(GaAs)n enabled us to grow InGaAS Iayer with an effectively high indium
composition.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 34, p. 31-36, 発行日 2005-08
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 02:41:04.757868
Ver.1 2023-05-15 10:38:22.720880
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