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フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価
http://hdl.handle.net/10458/5881
http://hdl.handle.net/10458/58813412b748-6337-4e57-9066-b9861b56dc8f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文 (676.2 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Investigation of Radiative Recombination of Semi-Polar (1-101)GaN Films Grown on Patterned (001)Si Substrate | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | (11̅01)GaN grown on patterned (001)Si, Photoreflectance, Photoluminescence, X-ray diffraction | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
杉原, 圭二
× 杉原, 圭二× 中野, 真理菜× 岩元, 杏里× 大堀, 大介× 本田, 善央× 天野, 浩× 碇, 哲雄× 福山, 敦彦× Sugihara, Keiji× Nakano, Marina× 岩元, 杏里× 大堀, 大介× 本田, 善央× 天野, 浩 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We investigated the radiative recombination properties of semi-polar (11̅01)GaN films grown on patterned (001)Si substrate by using photoreflectance (PR) and photoluminescence (PL) spectroscopies. The X-ray diffraction (XRD) method was also used for investigating strain content. Estimated bandgap energy (Eg) by Kramers-Kronig transformation of PR spectrum showed about 35 meV lower energy side than that of polar (0001)GaN. It was found that the strain of growth direction (=[111]Si) did not exist from the XRD 2- scan. Therefore, reduction of Eg may be caused by the tensile strain along the [11̅0]Si or [112̅-]Si direction. From the low temperature PL and PR measurements, we could confirm the several radiative peaks caused by donor-bound exciton, acceptor-bound exciton, and donor-to-acceptor pair recombination. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 45, p. 105-109, 発行日 2016-07-31 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
杉原, 圭二, 中野, 真理菜, 岩元, 杏里, 大堀, 大介, 本田, 善央, 天野, 浩, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦, Sugihara, Keiji, Nakano, Marina, 岩元, 杏里, 大堀, 大介, 本田, 善央, 天野, 浩, 2016, フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価: 宮崎大学工学部, 105–109 p.
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