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  1. 工学部
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
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  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 45号

フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価

http://hdl.handle.net/10458/5881
http://hdl.handle.net/10458/5881
3412b748-6337-4e57-9066-b9861b56dc8f
名前 / ファイル ライセンス アクション
p105.pdf 本文 (676.2 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-06-21
タイトル
タイトル フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価
言語 ja
タイトル
タイトル Investigation of Radiative Recombination of Semi-Polar (1-101)GaN Films Grown on Patterned (001)Si Substrate
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 (11̅01)GaN grown on patterned (001)Si, Photoreflectance, Photoluminescence, X-ray diffraction
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 杉原, 圭二

× 杉原, 圭二

WEKO 27234

ja 杉原, 圭二

ja-Kana スギハラ, ケイジ

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中野, 真理菜

× 中野, 真理菜

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ja 中野, 真理菜

ja-Kana ナカノ, マリナ

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岩元, 杏里

× 岩元, 杏里

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ja 岩元, 杏里

ja-Kana イワモト, アンリ

en Iwamoto, Anri


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大堀, 大介

× 大堀, 大介

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ja 大堀, 大介

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en Ohori, Daisuke


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本田, 善央

× 本田, 善央

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天野, 浩

× 天野, 浩

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ja 天野, 浩

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× 碇, 哲雄

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ja 碇, 哲雄

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en Ikari, Tetsuo


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× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad_Researcher 10264368

ja 福山, 敦彦

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en Fukuyama, Atsuhiko


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Sugihara, Keiji

× Sugihara, Keiji

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en Sugihara, Keiji

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en Nakano, Marina

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岩元, 杏里

× 岩元, 杏里

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ja-Kana イワモト, アンリ

en Iwamoto, Anri


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大堀, 大介

× 大堀, 大介

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ja 大堀, 大介

ja-Kana オオホリ, ダイスケ

en Ohori, Daisuke


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本田, 善央

× 本田, 善央

WEKO 27238

ja 本田, 善央

ja-Kana ホンダ, ヨシオ

en Honda, Yoshio


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天野, 浩

× 天野, 浩

WEKO 27239

ja 天野, 浩

ja-Kana アマノ, ヒロシ

en Amano, Hiroshi


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We investigated the radiative recombination properties of semi-polar (11̅01)GaN films grown on patterned (001)Si substrate by using photoreflectance (PR) and photoluminescence (PL) spectroscopies. The X-ray diffraction (XRD) method was also used for investigating strain content. Estimated bandgap energy (Eg) by Kramers-Kronig transformation of PR spectrum showed about 35 meV lower energy side than that of polar (0001)GaN. It was found that the strain of growth direction (=[111]Si) did not exist from the XRD 2- scan. Therefore, reduction of Eg may be caused by the tensile strain along the [11̅0]Si or [112̅-]Si direction. From the low temperature PL and PR measurements, we could confirm the several radiative peaks caused by donor-bound exciton, acceptor-bound exciton, and donor-to-acceptor pair recombination.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 45, p. 105-109, 発行日 2016-07-31
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 04:20:24.230104
Ver.1 2023-05-15 10:59:47.624914
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