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  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 51号

MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程

http://hdl.handle.net/10458/00010452
http://hdl.handle.net/10458/00010452
0a763141-60a3-41fc-b417-bd9e966925f2
名前 / ファイル ライセンス アクション
工学部紀要51号_p35-39.pdf 本文 (1.9 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2022-12-06
タイトル
タイトル MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程
言語 ja
タイトル
タイトル Mid-infrared Emission Process of InAs/GaSb Superlattices with Constant InAs Layer Thickness Grown by MOVPE Method
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 MOVPE
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 InAs/GaSb
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Superlattice
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Mid-Infrared
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Photoluminescence
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 k·p perturbation method
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 前田, 幸治

× 前田, 幸治

WEKO 12047
e-Rad 50219268

en Maeda, Koji
Maeda, Kouji

ja 前田, 幸治

ja-Kana マエダ, コウジ


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大濱, 寛士

× 大濱, 寛士

WEKO 31516

ja 大濱, 寛士

ja-Kana オオハマ, トモヒト

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岩切, 優人

× 岩切, 優人

WEKO 33688

ja 岩切, 優人

ja-Kana イワキリ, ユウト

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荒井, 昌和

× 荒井, 昌和

WEKO 30403
e-Rad 90522003

ja 荒井, 昌和

ja-Kana アライ, マサカズ

en Arai, Masakazu

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藤澤, 剛

× 藤澤, 剛

WEKO 33689

ja 藤澤, 剛

ja-Kana フジサワ, タケシ

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Ohama, Tomohito

× Ohama, Tomohito

WEKO 34032

en Ohama, Tomohito

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Iwakiri, Yuto

× Iwakiri, Yuto

WEKO 33747

en Iwakiri, Yuto

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Fujisawa, Takeshi

× Fujisawa, Takeshi

WEKO 33693

en Fujisawa, Takeshi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The emission mechanism of InAs/GaSb superlattices (SL) for the mid-infrared emission on InAs substrate grown by MOVPE was investigated. The optical properties of SLs with varied GaSb layer thickness were measured by photoluminescence. When the GaSb layer thickness was increased from 2.2 to 13.4 nm, the emission wavelength changed from 2.4 μm to 4.7 μm. In the case of GaSb layer thickness of 13.4 nm, the emission spectrum was compared with the calculated values from k·p perturbation method. The results revealed that at low temperatures or low excitation concentrations, only the emission between the lowest levels of conduction and valence band was observed. At higher temperatures or higher excitation concentrations, the emission from higher energy transitions is dominant over those between the lowest levels. The energy transitions higher than the lowest level are important for devices using highly excited states in the mid-infrared region.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 51, p. 35-39, 発行日 2022-11-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
関連サイト
識別子タイプ URI
関連識別子 https://www.miyazaki-u.ac.jp/tech/research/memoirs/
関連名称 宮崎大学工学部
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-29 08:07:49.511252
Ver.1 2023-05-15 10:46:48.312526
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Cite as

前田, 幸治, 大濱, 寛士, 岩切, 優人, 荒井, 昌和, 藤澤, 剛, Ohama, Tomohito, Iwakiri, Yuto, Fujisawa, Takeshi, 2022, MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程: 宮崎大学工学部, 35–39 p.

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