WEKO3
アイテム
MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程
http://hdl.handle.net/10458/00010452
http://hdl.handle.net/10458/0001045201417494-f414-4134-bee9-cf1658495437
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文 (1.9 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2022-12-06 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Mid-infrared Emission Process of InAs/GaSb Superlattices with Constant InAs Layer Thickness Grown by MOVPE Method | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOVPE | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | InAs/GaSb | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Superlattice | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Mid-Infrared | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Photoluminescence | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | k·p perturbation method | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
前田, 幸治
× 前田, 幸治× 大濱, 寛士× 岩切, 優人× 荒井, 昌和× 藤澤, 剛× Ohama, Tomohito× Iwakiri, Yuto× Fujisawa, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | The emission mechanism of InAs/GaSb superlattices (SL) for the mid-infrared emission on InAs substrate grown by MOVPE was investigated. The optical properties of SLs with varied GaSb layer thickness were measured by photoluminescence. When the GaSb layer thickness was increased from 2.2 to 13.4 nm, the emission wavelength changed from 2.4 μm to 4.7 μm. In the case of GaSb layer thickness of 13.4 nm, the emission spectrum was compared with the calculated values from k·p perturbation method. The results revealed that at low temperatures or low excitation concentrations, only the emission between the lowest levels of conduction and valence band was observed. At higher temperatures or higher excitation concentrations, the emission from higher energy transitions is dominant over those between the lowest levels. The energy transitions higher than the lowest level are important for devices using highly excited states in the mid-infrared region. | |||||
| 言語 | en | |||||
| bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 51, p. 35-39, 発行日 2022-11-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| item_10002_source_id_11 | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 関連サイト | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://www.miyazaki-u.ac.jp/tech/research/memoirs/ | |||||
| 関連名称 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
