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ラマン分光法による窒素分布の異なるGaAsN 薄膜のアニール効果
http://hdl.handle.net/10458/6707
http://hdl.handle.net/10458/6707e06f3641-3dda-47de-9c22-12e15dd6804f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文 (1.7 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ラマン分光法による窒素分布の異なるGaAsN 薄膜のアニール効果 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Effects of Annealing in GaAsN Films with Different N Distributions Measured by Raman Spectroscopy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ALE, Raman, GaAsN, N distribution, annealing, Crystallinity | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | ラマンブンコウホウ ニ ヨル チッソブンプ ノ コトナ ルGaAsNヒマク ノ アニー ルコウカ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
和田, 季己
× 和田, 季己× 浅生, 大輝× 上田, 大貴× 河野, 将大× 前田, 幸治× 鈴木, 秀俊× Wada, Toshiki× Aso, Taiki× Ueda, Daiki× Kawano, Mashahir |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | GaAsN thin films with nonhomogenious N distribution which average nitrogen concentration was 0.5% was grown the atomic layer epitaxy method. The sample was evaluated by Raman spectroscopy. No difference between normal mixed crystal film and most nonhomogenious N distribution film was obtained. It was impossible to directly detect thedetect the N nonhomogeneity in dilute N concentration. As a result of annealing these samples, the crystallinity became the best at 700 ℃ and disordered thereafter. This was not consistent with the result of the mobility change | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 48, p. 75-78, 発行日 2019-07 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
和田, 季己, 浅生, 大輝, 上田, 大貴, 河野, 将大, 前田, 幸治, 鈴木, 秀俊, Wada, Toshiki, Aso, Taiki, Ueda, Daiki, Kawano, Mashahir, 2019, ラマン分光法による窒素分布の異なるGaAsN 薄膜のアニール効果: 宮崎大学工学部, 75–78 p.
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