WEKO3
アイテム
偏光ラマン測定によるGaAsN 薄膜の結晶性に及ぼすアニール処理の影響
http://hdl.handle.net/10458/6415
http://hdl.handle.net/10458/64155e2705b4-ce14-4cd3-b03d-c05057f56057
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文 (1.1 MB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 偏光ラマン測定によるGaAsN 薄膜の結晶性に及ぼすアニール処理の影響 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Effects of annealing in GaAsN Films measured by Polariged Raman Spectroscopy | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ALE, Polarised Raman, GaAsN, Crystallinity, Raman selection rule | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
和田, 季己
× 和田, 季己× 橋本, 英明× 横山, 祐貴
× 前田, 幸治
WEKO
12047
× 鈴木, 秀俊
WEKO
14196
× 和田, 季己× 橋本, 英明× 横山, 祐貴
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | We investigated the influence of annealing treatment of GaAsN thin film fabricated by atomic layer epitaxy (ALE) method using polarized Raman measurement. Raman spectrum was fited with LO, TO and disorder-activated TO (DATO) mode using Lorentzian function. Disorder on orientation of the crystal in the film was not improved by the annealing at 700℃ for 1 min. LO-phonon plasmon coupling (LOPC) mode appeared after the annealing due to increasing hole concentration. The full width at half maximum of the LO mode peak decreased because of improvement of the crystallinity. Polarized Raman measurements are effective for analysis of the crystallinity because they can quench the LOPC mode which depended on the carrier concentration. | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 47, p. 91-94, 発行日 2018-07 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_10002_source_id_11 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||
