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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 45号

RF マグネトロンスパッタリング法を用いた薄膜蛍光体の作製とその発光特性の評価

http://hdl.handle.net/10458/5878
http://hdl.handle.net/10458/5878
daad6074-9811-419a-ba70-9ea1ea0e8910
名前 / ファイル ライセンス アクション
p91.pdf 本文 (663.1 kB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-06-21
タイトル
タイトル RF マグネトロンスパッタリング法を用いた薄膜蛍光体の作製とその発光特性の評価
言語 ja
タイトル
タイトル Fabrication and Luminescence Properties of Thin Film Phosphor Prepared by RF Magnetron Sputtering Method
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Phosphate, RF magnetron sputtering, Europium, Thin film
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 藤原, 光二郎

× 藤原, 光二郎

WEKO 27214

ja 藤原, 光二郎

ja-Kana フジハラ, コウジロウ

en Fujihara, Koujiro

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蛯原, 正裕

× 蛯原, 正裕

WEKO 27194

ja 蛯原, 正裕

ja-Kana エビハラ, マサヒロ

en Ebihara, Masahiro

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横山, 宏有

× 横山, 宏有

WEKO 12635
e-Rad_Researcher 50315355

ja 横山, 宏有
宮崎大学

ja-Kana ヨコヤマ, ヒロスミ

en Yokoyama, Hirosumi
University of Miyazaki

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前田, 幸治

× 前田, 幸治

WEKO 12047
e-Rad_Researcher 50219268

ja 前田, 幸治
宮崎大学

ja-Kana マエダ, コウジ

en Maeda, Koji
University of Miyazaki

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藤原, 光二郎

× 藤原, 光二郎

WEKO 27214

ja 藤原, 光二郎

ja-Kana フジハラ, コウジロウ

en Fujihara, Koujiro

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蛯原, 正裕

× 蛯原, 正裕

WEKO 27194

ja 蛯原, 正裕

ja-Kana エビハラ, マサヒロ

en Ebihara, Masahiro

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Yokohama, Hirosumi

× Yokohama, Hirosumi

WEKO 27220

en Yokohama, Hirosumi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The crystalline Sr(Al2Si2O8) films on quartz glass substrate were grown by a RF magnetron sputtering method. Al2O3 and SrAl2O4 powder were used for the targets. The crystalized Al2O3 buffer layer needs to crystalize the thin film on quartz glass substrate. The deposited thin film was annealed at 1150℃ in H2/Ar gas for the improvement the crystallinity. The annealed film were identified a mixed phases of both crystalline SiO2 and Sr(Al2Si2O8). The existence of Eu2+ and Eu3+ ions in the films were confirmed by photoluminescence emission of broad peak at 380 nm and that of weak peaks at about 600 nm respectively. These results indicated that the embedded Al2O3 buffer layers and the annealing treatments were important in the emission of Eu2+ ions in Sr(Al2Si2O8) film.
言語 en
bibliographic_information ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 45, p. 91-94, 発行日 2016-07-31
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
item_10002_source_id_11
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 04:20:05.430121
Ver.1 2023-05-15 10:56:42.518339
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