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Investigation of Ni Induced Deep Levels in N-Type Si by a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal and Surface Photovoltage Signals
http://hdl.handle.net/10458/5410
http://hdl.handle.net/10458/54102c2c96d4-8297-4b78-82a7-b09c05b566e6
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Investigation of Ni Induced Deep Levels in N-Type Si by a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal and Surface Photovoltage Signals | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
佐藤, 庄一郎
× 佐藤, 庄一郎× 福嶋, 晋一× 田中, 秀司× 境, 健太郎
WEKO
12634
× 福山, 敦彦
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7289
× 碇, 哲雄
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7290
× Sato, Shoichiro× 福嶋, 晋一× Tanaka, Shuji |
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| 書誌情報 |
Semiconductor Device Research Symposium, 2005 International p. 410-411, 発行日 2005-12 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | IEEE | |||||||||||||||||||||||
