WEKO3
アイテム
Impurity and defect centers of n-type 4H-SiC single crystals investigated by a photoluminescence and a piezoelectric photo thermal spectroscopies
http://hdl.handle.net/10458/5137
http://hdl.handle.net/10458/5137461286bf-7bd0-4b4e-bb2e-5750638497e8
Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2020-06-21 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Impurity and defect centers of n-type 4H-SiC single crystals investigated by a photoluminescence and a piezoelectric photo thermal spectroscopies | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
キーワード | SiC, Photo thermal spectroscopy, Photo luminescence spectroscopy, Impurity, Defect | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
著者 |
境, 健太郎
× 境, 健太郎× 福山, 敦彦× 重冨, 茂× 碇, 哲雄 |
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書誌情報 |
Solid-State Electronics 巻 48, 号 10-11, p. 1873–1876-1873–1876, 発行日 2004-10 |
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出版者 | ||||||
出版者 | Elsevier | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 00381101 |