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アイテム
Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE
http://hdl.handle.net/10458/5108
http://hdl.handle.net/10458/510853cefd14-8d93-4476-9054-ca4d2be6cf3b
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | A1. Photoluminescence, A1. Surface structure, A1. X-ray diffraction, A3. Molecular beam epitaxy, B1. InGaN | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
小牧, 弘典
× 小牧, 弘典× 中村, 照幸× 片山, 竜二× 尾鍋, 研太郎× 尾関, 雅志× 碇, 哲雄× 小牧, 弘典× Nakamura, Teruyuki× 片山, 竜二× 尾鍋, 研太郎 |
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| 書誌情報 |
Journal of Crystal Growth 巻 301-302, p. 473–477-473–477, 発行日 2007-04 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00220248 | |||||
