@article{oai:miyazaki-u.repo.nii.ac.jp:00004261,
 author = {小牧, 弘典 and Komaki, Hironori and 中村, 照幸 and 片山, 竜二 and Katayama, Ryuji and 尾鍋, 研太郎 and Onabe, Kentaro and 尾関, 雅志 and Ozeki, Masashi and Ikari, Tetsuo and 碇, 哲雄 and 小牧, 弘典 and Komaki, Hironori and Nakamura, Teruyuki and 片山, 竜二 and Katayama, Ryuji and 尾鍋, 研太郎 and Onabe, Kentaro},
 journal = {Journal of Crystal Growth},
 month = {Apr},
 pages = {473–477--473–477},
 title = {Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE},
 volume = {301-302},
 year = {2007},
 yomi = {コマキ, ヒロノリ and ナカムラ, テルユキ and カタヤマ, リュウジ and オナベ, ケンタロウ and オゼキ, マサシ and イカリ, テツオ and コマキ, ヒロノリ and カタヤマ, リュウジ and オナベ, ケンタロウ}
}