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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 33号

フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価

http://hdl.handle.net/10458/308
http://hdl.handle.net/10458/308
38a4fe26-75ec-4134-9f2c-2594b96224eb
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00002428229.pdf KJ00002428229.pdf (441.7 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-06-28
タイトル
タイトル フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
言語 ja
タイトル
タイトル Investigation of Optical Characterization in InGaAlP-LED by Using Photoluminescence Measurement
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 InGaAIP, LED, Photoluminescence, ASE, life time
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル フォト ルミネッセンス ブンコウホウ ニ ヨル III-Vゾク カゴウブツ ハンドウタイ InGaAlP ノ ヒョウカ
著者 河村, 昌和

× 河村, 昌和

WEKO 15825

ja 河村, 昌和

ja-Kana カワムラ, マサカズ

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前田, 幸治

× 前田, 幸治

WEKO 12047
e-Rad 50219268

en Maeda, Koji
Maeda, Kouji

ja 前田, 幸治

ja-Kana マエダ, コウジ


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福山, 敦彦

× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad 10264368

ja 福山, 敦彦

ja-Kana フクヤマ, アツヒコ

en Fukuyama, Atsuhiko

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碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad 70113214

ja 碇, 哲雄

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo

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Kawamura, Masakazu

× Kawamura, Masakazu

WEKO 15829

en Kawamura, Masakazu

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Abstract
InGaAIP light emitting diodes (LED ) are attractive visible light sources . The luminescent
characterization of devices would change due to the diffusion of impurities into the active layer
during the device manufacturing processes. In this paper, we evaluated the as-grown and annealed
LED samples by Photoluminescence (PL) spectroscopy. The main PL peak around 2.16 eV at 77 K
from the band gap of the active layer was observed with the small peak assigned to the Zn accepter
level. The PL intensity of the active layer abruptly increased with increasing the excitation light
intensity nonlinearly at the certain excited intensity which depends on the samples. The phenomena
can be explained by the population inversion of the carrieres . We presented the relation of the PL
intensity and the excited light power in the strong and weak excited region. The difference of the
lifetime ratio between a radiative and a nonradiative recombination depended on the deep level of
samples. The PL measurement is good evaluation method to the degree of degradation of the LED
in the nondestructive measurement.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 33, p. 101-105, 発行日 2004-10
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 00:14:06.587633
Ver.1 2023-05-15 10:59:26.258486
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河村, 昌和, 前田, 幸治, 福山, 敦彦, 碇, 哲雄, Kawamura, Masakazu, n.d., フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価: 宮崎大学工学部, 101–105 p.

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