WEKO3
アイテム
フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
http://hdl.handle.net/10458/308
http://hdl.handle.net/10458/308458e0e2a-0bee-488c-9197-9d067d5b8cab
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00002428229.pdf (441.7 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2007-06-28 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Investigation of Optical Characterization in InGaAlP-LED by Using Photoluminescence Measurement | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | InGaAIP, LED, Photoluminescence, ASE, life time | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | フォト ルミネッセンス ブンコウホウ ニ ヨル III-Vゾク カゴウブツ ハンドウタイ InGaAlP ノ ヒョウカ | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
河村, 昌和
× 河村, 昌和× 前田, 幸治
WEKO
12047
× 福山, 敦彦
WEKO
7289
× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× Kawamura, Masakazu |
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | Abstract InGaAIP light emitting diodes (LED ) are attractive visible light sources . The luminescent characterization of devices would change due to the diffusion of impurities into the active layer during the device manufacturing processes. In this paper, we evaluated the as-grown and annealed LED samples by Photoluminescence (PL) spectroscopy. The main PL peak around 2.16 eV at 77 K from the band gap of the active layer was observed with the small peak assigned to the Zn accepter level. The PL intensity of the active layer abruptly increased with increasing the excitation light intensity nonlinearly at the certain excited intensity which depends on the samples. The phenomena can be explained by the population inversion of the carrieres . We presented the relation of the PL intensity and the excited light power in the strong and weak excited region. The difference of the lifetime ratio between a radiative and a nonradiative recombination depended on the deep level of samples. The PL measurement is good evaluation method to the degree of degradation of the LED in the nondestructive measurement. |
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| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 33, p. 101-105, 発行日 2004-10 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||||||||||||||
| item_10002_source_id_11 | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||
