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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 38号

パルスレーザー照射ゲッタリングのESCAによる評価

http://hdl.handle.net/10458/2377
http://hdl.handle.net/10458/2377
b147a236-c7b8-4eda-bf04-e20ee0651959
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00005628659.pdf KJ00005628659.pdf (3.3 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2009-10-29
タイトル
タイトル パルスレーザー照射ゲッタリングのESCAによる評価
言語 ja
タイトル
タイトル Evaluation of Pulse Laser Gettering by Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 silicon, pulse laser gettering, ESCA
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル パルスレーザー ショウシャ ゲッタリング ノ ESCA ニヨル ヒョウカ
著者 日高, 洋美

× 日高, 洋美

WEKO 15303

ja 日高, 洋美

ja-Kana ヒダカ, ヒロミ

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黒木, 正子

× 黒木, 正子

WEKO 15304

ja 黒木, 正子

ja-Kana クロキ, マサコ

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明石, 義人

× 明石, 義人

WEKO 7725

ja 明石, 義人

ja-Kana アカシ, ヨシト

en Akashi, Yoshito

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Hidaka, Hiromi

× Hidaka, Hiromi

WEKO 15306

en Hidaka, Hiromi

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Kuroki, Masako

× Kuroki, Masako

WEKO 4014

en Kuroki, Masako

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The pulse laser gettering of silicon wafer is studied using the ESCA of high precision. After a pulse laser irradiation from the back surface, specimens are annealed at l000℃ for 30min, and the intentional Cu diffusion are applied to the specimens. The gettered amount of Cu atoms at several depths in the wafers are measured. From the measurement, it was found that the gettering defect induced by the pulse laser are intentionally formed at the depth of 400μm and 500μm from the surface. In this sample, mild getter sinks are formed at the depth of 500μm in the central part, while mighty getter sinks are formed at the depth of 400μm in a off center place. It is estimated that, though the depth where the sinks are induced are reproducible, the site where the sinks are induced are not reproducible. As the amount of Cu gettered at 200μm is obviously reduced after the gettering procedure, it is estimated that Cu atoms near surface are drawn into the mighty getter sinks inside the wafer.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 38, p. 45-51, 発行日 2009-09-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 02:57:09.459596
Ver.1 2023-05-15 11:44:24.465324
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