WEKO3
アイテム
電子線照射したSi_<0.75>Ge_<0.25>/Siダイオードのラマン分光法によるひずみ解析
http://hdl.handle.net/10458/4720
http://hdl.handle.net/10458/4720436607ad-50c0-4602-bd29-5047cbea07ff
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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engineering103-107.pdf (1.3 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2013-12-26 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | 電子線照射したSi_<0.75>Ge_<0.25>/Siダイオードのラマン分光法によるひずみ解析 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Stress Analysis of the Electron Irradiated Si_<0.75>Ge_<0.25>/Si Diode by Raman Spectroscopy | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | Raman spectroscopy, Electron, Radiation damage, Strained Si, Hetero structures | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||
| その他のタイトル | デンシセン ショウシャ シタ Si_<0.75>Ge_<0.25>/Si ダイオード ノ ラマン ブンコウホウ ニヨル ヒズミ カイセキ | |||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||
| 著者 |
中島, 敏之
× 中島, 敏之× 米岡, 将士× 角田, 功× 高倉, 健一郎× 大山, 英典× 中, 庸行× 吉野, 賢二
WEKO
12061
× Simoen, Eddy× Claeys, Cor× 中島, 敏之× Yoneoka, Masashi× Tsunoda, Isao× Takakura, Kenichiro× Ohyama, Hidenori× Naka, Nobuyuki× Simoen, Eddy× Claeys, Cor |
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | We have investigated the stress behavior in electron irradiated B-doped Si_<0.75>Ge_<0.25> / Si-substrate hetero-junctions by using Raman spectroscopy. For a high fluence (～1x10^<18> e/cm^2), the Raman peak of the Si-Si bond at the boron-doped Si_<0.75>Ge_<0.25> layer have a tendency to move toward the high wave number side. The tendency increases with increasing electron fluence. This could be explained by the local compressive stress variations in the Si_<0.75>Ge_<0.25> layer during irradiation with varying fluence, due to the difference in the generation probability of the knock-on atoms for Si, Ge and B. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 42, p. 103-107, 発行日 2013-08-30 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
