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電子線照射したSi_<0.75>Ge_<0.25>/Siダイオードのラマン分光法によるひずみ解析
http://hdl.handle.net/10458/4720
http://hdl.handle.net/10458/4720436607ad-50c0-4602-bd29-5047cbea07ff
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
engineering103-107.pdf (1.3 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2013-12-26 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 電子線照射したSi_<0.75>Ge_<0.25>/Siダイオードのラマン分光法によるひずみ解析 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Stress Analysis of the Electron Irradiated Si_<0.75>Ge_<0.25>/Si Diode by Raman Spectroscopy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Raman spectroscopy, Electron, Radiation damage, Strained Si, Hetero structures | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | デンシセン ショウシャ シタ Si_<0.75>Ge_<0.25>/Si ダイオード ノ ラマン ブンコウホウ ニヨル ヒズミ カイセキ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
中島, 敏之
× 中島, 敏之× 米岡, 将士× 角田, 功× 高倉, 健一郎× 大山, 英典× 中, 庸行× 吉野, 賢二× Simoen, Eddy× Claeys, Cor× 中島, 敏之× Yoneoka, Masashi× Tsunoda, Isao× Takakura, Kenichiro× Ohyama, Hidenori× Naka, Nobuyuki× Simoen, Eddy× Claeys, Cor |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We have investigated the stress behavior in electron irradiated B-doped Si_<0.75>Ge_<0.25> / Si-substrate hetero-junctions by using Raman spectroscopy. For a high fluence (～1x10^<18> e/cm^2), the Raman peak of the Si-Si bond at the boron-doped Si_<0.75>Ge_<0.25> layer have a tendency to move toward the high wave number side. The tendency increases with increasing electron fluence. This could be explained by the local compressive stress variations in the Si_<0.75>Ge_<0.25> layer during irradiation with varying fluence, due to the difference in the generation probability of the knock-on atoms for Si, Ge and B. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 42, p. 103-107, 発行日 2013-08-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
中島, 敏之, 米岡, 将士, 角田, 功, 高倉, 健一郎, 大山, 英典, 中, 庸行, 吉野, 賢二, Simoen, Eddy, Claeys, Cor, 中島, 敏之, Yoneoka, Masashi, Tsunoda, Isao, Takakura, Kenichiro, Ohyama, Hidenori, Naka, Nobuyuki, Simoen, Eddy, Claeys, Cor, 2013, 電子線照射したSi_<0.75>Ge_<0.25>/Siダイオードのラマン分光法によるひずみ解析: 宮崎大学工学部, 103–107 p.
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