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光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
http://hdl.handle.net/10458/3187
http://hdl.handle.net/10458/3187a3accf5e-d237-40ab-a935-d22fe4aff6a6
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
engineering39-03.pdf (612.5 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | A Study of the Recombination Process at the p-n Junction Interface by the Photoexcited-Carrier-Concentration Controlled Piezoelectric Photothermal Method | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Surface Photo-Voltage (SPV), Piezoelectric Photo-Thermal (PPT), Constant Photocurrent measurement (CPM) | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | ヒカリレイキ キャリア スウ オ セイギョ シタ アツデン ソシ コウネツ ヘンカン ブンコウホウ ニヨル ハンドウタイ p-n セツゴウ カイメン ノ ケンキュウ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
田村, 仁
× 田村, 仁× 萱岐, 俊洋× 境, 貴洋× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× 田村, 仁× Iki, Toshihiro× 境, 健太郎 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | It is important to control the carrier dynamics at p-n junction interface for high efficiency solar cells. In this study, the signal generation mechanisms of the Surface Photo-Voltage (SPV) and Piezoelectric Photo-Thermal (PPT) signals of Si p-n junction have investigated by using the photoexcited-carrier-concentration controlled incident light. Since the carrier accumulation (= SPV) and the recombination phenomenon (= PPT) are complementary, SPV and PPT should shows a peak and a dip, respectively. However, at hv = 1.30 eV, both SPV and PPT showed peaks. This was concluded that the PPT increased by a thermodynamic energy loss with phonon emitting within the conduction and valence bands. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 39, p. 15-18, 発行日 2010-09-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
田村, 仁, 萱岐, 俊洋, 境, 貴洋, 福山, 敦彦, 碇, 哲雄, 田村, 仁, Iki, Toshihiro, 境, 健太郎, 2010, 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究: 宮崎大学工学部, 15–18 p.
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