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アイテム
パルスレーザー照射欠陥のEDXによる評価
http://hdl.handle.net/10458/4707
http://hdl.handle.net/10458/4707d206c1b2-cd46-44b9-8687-cc678a4177c7
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2013-12-25 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | パルスレーザー照射欠陥のEDXによる評価 | |||||
言語 | ja | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | EDX Evaluation of Defects Induced by Pulsed Laser Irradiation | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | gettering, pulsed laser irradiation, Si-wafer, EDX, getter sink | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | パルス レーザー ショウシャ ケッカン ノ EDX ニヨル ヒョウカ | |||||
言語 | ja-Kana | |||||
著者 |
黒木, 正子
× 黒木, 正子× 工藤, 大輔× 黒木, 正子× Kudo, Daisuke |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Gettering effect of defects induced by pulsed laser irradiation is studied. Pulsed laser irradiated Si-wafer(back surface) is annealed at 800℃for 30min and intentionally contaminated by Cu diffusion. Cu atoms gettered by defects are analyzed by EDX (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy). Each depth of 50μm, 100μm, 200μm, 300μm, 350μm from back surface is measured. From the results of depth profile, it was found that at the depth of 350μm, getter sinks were formed at the apart from the center and at the depth of the 200μm, were at the center part. | |||||
言語 | en | |||||
書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 42, p. 31-34, 発行日 2013-08-30 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
言語 | ja | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
言語 | en | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 05404924 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00732558 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |