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  1. 工学部
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 39号

PLD法による薄膜形成の初期過程の観察

http://hdl.handle.net/10458/3211
http://hdl.handle.net/10458/3211
6712c4a8-d19c-45aa-b340-c6253b09ca75
名前 / ファイル ライセンス アクション
engineering39-28.pdf engineering39-28.pdf (962.4 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2011-02-25
タイトル
タイトル PLD法による薄膜形成の初期過程の観察
言語 ja
タイトル
タイトル Observation of the Initial Stage of Thin Film Formation Process by PLD Method
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 PLD, STM, Initial stage, Si(111), C60
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル PLDホウ ニヨル ハクマク ケイセイ ノ ショキ カテイ ノ カンサツ
言語 ja-Kana
著者 岡崎, 裕太郎

× 岡崎, 裕太郎

WEKO 14041

ja 岡崎, 裕太郎

ja-Kana オカザキ, ユウタロウ

en Okazaki, Yutaro


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カイリル, ヌルフスナ ビンティ

× カイリル, ヌルフスナ ビンティ

WEKO 13452

カイリル, ヌルフスナ ビンティ

ja-Kana カイリル, ヌルフスナ ビンティ

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甲藤, 正人

× 甲藤, 正人

WEKO 13453
e-Rad_Researcher 80268466

ja 甲藤, 正人

ja-Kana カットウ, マサヒト

en Katto, Masahito


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横谷, 篤至

× 横谷, 篤至

WEKO 12038
e-Rad_Researcher 00183989

ja 横谷, 篤至

ja-Kana ヨコタニ, アツシ

en Yokotani, Atsushi


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岡崎, 裕太郎

× 岡崎, 裕太郎

WEKO 14041

ja 岡崎, 裕太郎

ja-Kana オカザキ, ユウタロウ

en Okazaki, Yutaro


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Khairir, Nurulhusna Binti

× Khairir, Nurulhusna Binti

WEKO 13456

en Khairir, Nurulhusna Binti

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Katto, Masato

× Katto, Masato

WEKO 13457

en Katto, Masato

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Pulsed laser deposition (PLD) is a method using a simple device that can form film under various conditions and can be used for research of film growth. However, it is difficult to achieve forming films of good quality because of a lot of unknown points in the mechanisms. In order to clarify the mechanism of the deposition process in PLD method, we have observed the initial stage of film deposition process on the Si(111)-7×7 surface. In the present work, we have compared to the results on Si3N4 and SiC thin films. An ultra-high-vacuum scanning tunneling microscope (UHV-STM) was used for the observation of surface morphologies. Sintered Si3N4, single crystalline Si, HOPG and pressed C60 were used for the PLD targets. Our results suggest that by PLD method, particles ablated from targets adsorbed onto the substrate surface without destroying the structure of substrate surface. We also used a Time of Flight Mass Spectrometry (TOF-MS) to analyze ablated particle. Our results suggest that single atomic particles are ablated in PLD process. For the each targets, we have clarified the adsorption sites, adsorption probabilities, size and shape of adsorbed particles. These results are expected to be useful information for clarification of the mechanism of the deposition process of PLD method.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 39, p. 173-178, 発行日 2010-09-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-29 23:39:24.072171
Ver.1 2023-05-15 10:54:51.048095
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