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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 32号

V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長

http://hdl.handle.net/10458/255
http://hdl.handle.net/10458/255
ee0bf553-f598-489c-8a91-883611ba9851
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00002425527.pdf KJ00002425527.pdf (381.4 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-06-28
タイトル
タイトル V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
言語 ja
タイトル
タイトル V-group elements doped CuInS_2 Crystals Grown by Hot-Press Method
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Chalcopyrite, CuInS2, Hot-Press, p-type, P, As, Sb, Bi
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル Vゾク ゲンソ テンカ CuInS2 ケッショウ ノ ホット プレス セイチョウ
言語 ja-Kana
著者 小牧, 弘典

× 小牧, 弘典

WEKO 12789

ja 小牧, 弘典

ja-Kana コマキ, ヒロノリ

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赤木, 洋二

× 赤木, 洋二

WEKO 12790

赤木, 洋二

ja-Kana アカキ, ヨウジ

en Akaki, Youji

Search repository
吉野, 賢二

× 吉野, 賢二

WEKO 12061
e-Rad 80284826

吉野, 賢二

ja-Kana ヨシノ, ケンジ

en Yoshino, Kenji

Search repository
横山, 宏有

× 横山, 宏有

WEKO 12635
e-Rad 50315355

ja 横山, 宏有

ja-Kana ヨコヤマ, ヒロスミ

en Yokoyama, Hirosumi

Search repository
前田, 幸治

× 前田, 幸治

WEKO 12047
e-Rad 50219268

en Maeda, Koji
Maeda, Kouji

ja 前田, 幸治

ja-Kana マエダ, コウジ


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碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad 70113214

碇, 哲雄

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo

Search repository
Komaki, Hironori

× Komaki, Hironori

WEKO 12795

en Komaki, Hironori

Search repository
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Abstract
V-group elements (P, As, Sb and Bi) doped CuInS2 crystals were successfully grown by
Hot-Press method at low pressure (22.5 MPa). It was concluded that all samples had
stoichiometric compositions and were formed in a chalcopyrite structure. Thermo probe analysis
showed that all the samples doped with V-group elements indicated p-type conductivity. Since a
non-doped sample showed n-type conductivity because of S vacancy defect, I considered that the
V-group elements substituted in the S site (Ps, Ass, Sbs and Bis) and acted as acceptors. The density
of P- and Sb-doped CuInS2 were almost the same as that of the CuInS2 single crystal grown by the
traveling heater method and non-doped sample grown by high pressure condition (>60 MPa). As-
and Bi-doped samples with low resistivity had complex defects and/or two kinds of acceptor-type
defects .
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 32, p. 141-145, 発行日 2003-07
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-29 23:37:03.558668
Ver.1 2023-05-15 10:56:28.183638
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小牧, 弘典, Akaki, Youji, Yoshino, Kenji, 横山, 宏有, 前田, 幸治, Ikari, Tetsuo, Komaki, Hironori, 2003, V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長: 宮崎大学工学部, 141–145 p.

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