WEKO3
アイテム
V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
http://hdl.handle.net/10458/255
http://hdl.handle.net/10458/255db89241f-073f-4f5f-a2cf-b2a663c2bbfc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00002425527.pdf (381.4 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2007-06-28 | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | V-group elements doped CuInS_2 Crystals Grown by Hot-Press Method | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | Chalcopyrite, CuInS2, Hot-Press, p-type, P, As, Sb, Bi | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | Vゾク ゲンソ テンカ CuInS2 ケッショウ ノ ホット プレス セイチョウ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
小牧, 弘典
× 小牧, 弘典× 赤木, 洋二× 吉野, 賢二
WEKO
12061
× 横山, 宏有
WEKO
12635
× 前田, 幸治
WEKO
12047
× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× 小牧, 弘典 |
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | Abstract V-group elements (P, As, Sb and Bi) doped CuInS2 crystals were successfully grown by Hot-Press method at low pressure (22.5 MPa). It was concluded that all samples had stoichiometric compositions and were formed in a chalcopyrite structure. Thermo probe analysis showed that all the samples doped with V-group elements indicated p-type conductivity. Since a non-doped sample showed n-type conductivity because of S vacancy defect, I considered that the V-group elements substituted in the S site (Ps, Ass, Sbs and Bis) and acted as acceptors. The density of P- and Sb-doped CuInS2 were almost the same as that of the CuInS2 single crystal grown by the traveling heater method and non-doped sample grown by high pressure condition (>60 MPa). As- and Bi-doped samples with low resistivity had complex defects and/or two kinds of acceptor-type defects . |
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| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 32, p. 141-145, 発行日 2003-07 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_10002_source_id_11 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||
