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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 34号

スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性

http://hdl.handle.net/10458/376
http://hdl.handle.net/10458/376
73ea2a38-4419-45ab-a748-bb60e59ac991
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00003579367.pdf KJ00003579367.pdf (1.2 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-06-28
タイトル
タイトル スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
言語 ja
タイトル
タイトル Dependence of Oxygen Pressures of ZnO Thin Films Grown by Sputtering Method
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 ZnO, GZO, O2 partial pressures, Sputtering
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル スパッタリングホウ ニ ヨル ZnOケイ ハクマク ノ サクセイ オヨビ サンソ ブンアツ イゾンセイ
言語 ja-Kana
著者 福嶋, 貴志

× 福嶋, 貴志

WEKO 12059

ja 福嶋, 貴志

ja-Kana フクシマ, タカシ

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大牟田, 真吾

× 大牟田, 真吾

WEKO 12060

大牟田, 真吾

ja-Kana オオムタ, シンゴ

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吉野, 賢二

× 吉野, 賢二

WEKO 12061
e-Rad 80284826

ja 吉野, 賢二

ja-Kana ヨシノ, ケンジ

en Yoshino, Kenji

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碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad 70113214

ja 碇, 哲雄

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo

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Fukushima, Takashi

× Fukushima, Takashi

WEKO 12063

en Fukushima, Takashi

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Ohmuta, Shingo

× Ohmuta, Shingo

WEKO 12064

en Ohmuta, Shingo

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Abstract
Zinc oxide (ZnO) thin film has been a promising material as well as the indium tin oxide and tin
oxide for the front electrode in a variety of opto-electronic devices. In this work, DC sputtering was
carried out to obtain high conductive and transparent Ga (5 wt%) -doped ZnO (GZO) films under
different conditions (O2 partial pressures: Po2). Undoped ZnO film was also grown by the DC
sputtering as a reference. In undoped ZnO films, a carrier concentration decreased and a resistivity
increased with increasing the Po2. This result was due to the decreasing donor type defects such as
oxygen vacancy (Vo) and/or interstitial Zn (Zni). However, a carrier concentration of the GZO films
was almost constant with increasing the Po2, It was assumed that a predominant career of the GZO
was Ga substituted in the Zn site (Gazn) or interstitial Ga (Gai), which were expected from a higher
camer concentration of 10(20乗) cm(-3乗) in the GZO film.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 34, p. 115-120, 発行日 2005-08
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 02:42:30.264987
Ver.1 2023-05-15 10:56:56.653794
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Cite as

福嶋, 貴志, 大牟田, 真吾, 吉野, 賢二, 碇, 哲雄, Fukushima, Takashi, Ohmuta, Shingo, 2005, スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性: 宮崎大学工学部, 115–120 p.

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