WEKO3
-
RootNode
アイテム
There is a newer version of this record available.
スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
http://hdl.handle.net/10458/376
http://hdl.handle.net/10458/37673ea2a38-4419-45ab-a748-bb60e59ac991
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00003579367.pdf (1.2 MB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-06-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Dependence of Oxygen Pressures of ZnO Thin Films Grown by Sputtering Method | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ZnO, GZO, O2 partial pressures, Sputtering | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | スパッタリングホウ ニ ヨル ZnOケイ ハクマク ノ サクセイ オヨビ サンソ ブンアツ イゾンセイ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
福嶋, 貴志
× 福嶋, 貴志× 大牟田, 真吾× 吉野, 賢二× 碇, 哲雄× Fukushima, Takashi× Ohmuta, Shingo |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Abstract Zinc oxide (ZnO) thin film has been a promising material as well as the indium tin oxide and tin oxide for the front electrode in a variety of opto-electronic devices. In this work, DC sputtering was carried out to obtain high conductive and transparent Ga (5 wt%) -doped ZnO (GZO) films under different conditions (O2 partial pressures: Po2). Undoped ZnO film was also grown by the DC sputtering as a reference. In undoped ZnO films, a carrier concentration decreased and a resistivity increased with increasing the Po2. This result was due to the decreasing donor type defects such as oxygen vacancy (Vo) and/or interstitial Zn (Zni). However, a carrier concentration of the GZO films was almost constant with increasing the Po2, It was assumed that a predominant career of the GZO was Ga substituted in the Zn site (Gazn) or interstitial Ga (Gai), which were expected from a higher camer concentration of 10(20乗) cm(-3乗) in the GZO film. |
|||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 34, p. 115-120, 発行日 2005-08 |
|||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
Share
Cite as
福嶋, 貴志, 大牟田, 真吾, 吉野, 賢二, 碇, 哲雄, Fukushima, Takashi, Ohmuta, Shingo, 2005, スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性: 宮崎大学工学部, 115–120 p.
