WEKO3
アイテム
スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
http://hdl.handle.net/10458/376
http://hdl.handle.net/10458/376f7fb8476-3fe3-4c4f-8816-4264558d2348
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00003579367.pdf (1.2 MB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2007-06-28 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Dependence of Oxygen Pressures of ZnO Thin Films Grown by Sputtering Method | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | ZnO, GZO, O2 partial pressures, Sputtering | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||
| その他のタイトル | スパッタリングホウ ニ ヨル ZnOケイ ハクマク ノ サクセイ オヨビ サンソ ブンアツ イゾンセイ | |||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||
| 著者 |
福嶋, 貴志
× 福嶋, 貴志× 大牟田, 真吾× 吉野, 賢二
WEKO
12061
× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× Fukushima, Takashi× Ohmuta, Shingo |
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| 抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||
| 内容記述 | Abstract Zinc oxide (ZnO) thin film has been a promising material as well as the indium tin oxide and tin oxide for the front electrode in a variety of opto-electronic devices. In this work, DC sputtering was carried out to obtain high conductive and transparent Ga (5 wt%) -doped ZnO (GZO) films under different conditions (O2 partial pressures: Po2). Undoped ZnO film was also grown by the DC sputtering as a reference. In undoped ZnO films, a carrier concentration decreased and a resistivity increased with increasing the Po2. This result was due to the decreasing donor type defects such as oxygen vacancy (Vo) and/or interstitial Zn (Zni). However, a carrier concentration of the GZO films was almost constant with increasing the Po2, It was assumed that a predominant career of the GZO was Ga substituted in the Zn site (Gazn) or interstitial Ga (Gai), which were expected from a higher camer concentration of 10(20乗) cm(-3乗) in the GZO film. |
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| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 34, p. 115-120, 発行日 2005-08 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
