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アイテム
Electrical properties of GaAsN/GaAs-superlattice films with different N distributions fabricated by atomic layer epitaxy
http://hdl.handle.net/10458/0002000884
http://hdl.handle.net/10458/0002000884ab252703-340f-45d6-ac57-7485828615f2
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2025-01-01 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Electrical properties of GaAsN/GaAs-superlattice films with different N distributions fabricated by atomic layer epitaxy | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| キーワード | A3. Atomic layer epitaxy | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| キーワード | A1. X-ray diffraction | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| キーワード | A1. Post annealing | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| キーワード | A1. Defects | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| キーワード | A1. Diffusion | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| キーワード | A1. Carrier mobility | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||
| アクセス権 | ||||||||
| 著者 |
Kawano Masahiro
× Kawano Masahiro
× 原口, 智宏× 鈴木, 秀俊 |
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| bibliographic_information |
en : Journal of Crystal Growth 巻 649, p. 127915, 発行日 2025-01-01 |
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| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| ISSN | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||
| 収録物識別子 | 00220248 | |||||||
| item_10001_relation_14 | ||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127915 | |||||||
| 権利 | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 権利情報 | © 2024 Elsevier B.V. All rights are reserved, including those for text and data mining, AI training, and similar technologies. | |||||||
| 出版タイプ | ||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||
