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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 学術雑誌掲載論文　(工学部)

Electrical properties of GaAsN/GaAs-superlattice films with different N distributions fabricated by atomic layer epitaxy

http://hdl.handle.net/10458/0002000884
http://hdl.handle.net/10458/0002000884
ab252703-340f-45d6-ac57-7485828615f2
アイテムタイプ 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2025-01-01
タイトル
タイトル Electrical properties of GaAsN/GaAs-superlattice films with different N distributions fabricated by atomic layer epitaxy
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
キーワード A3. Atomic layer epitaxy
キーワード
言語 en
キーワード A1. X-ray diffraction
キーワード
言語 en
キーワード A1. Post annealing
キーワード
言語 en
キーワード A1. Defects
キーワード
言語 en
キーワード A1. Diffusion
キーワード
言語 en
キーワード A1. Carrier mobility
資源タイプ
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 metadata only access
著者 Kawano Masahiro

× Kawano Masahiro

en Kawano Masahiro
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原口, 智宏

× 原口, 智宏

WEKO 28621

ja 原口, 智宏
ja-Kana ハラグチ, トモヒロ
en Haraguchi, Tomohiro
Search repository
鈴木, 秀俊

× 鈴木, 秀俊

WEKO 14196
e-Rad_Researcher 00387854

ja 鈴木, 秀俊
宮崎大学

ja-Kana スズキ, ヒデトシ
en Suzuki, Hidetoshi
University of Miyazaki

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書誌情報 en : Journal of Crystal Growth

巻 649, p. 127915, 発行日 2025-01-01
出版者
出版者 Elsevier
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 00220248
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127915
権利
権利情報 © 2024 Elsevier B.V. All rights are reserved, including those for text and data mining, AI training, and similar technologies.
言語 en
著者版フラグ
出版タイプ NA
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Ver.1 2025-01-08 06:48:37.941826
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