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  1. 工学部
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
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  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 53号

PPT 及びPL 法によるCZTS 太陽電池の欠陥準位およびポテンシャル揺らぎ評価

https://doi.org/10.34481/0002000814
https://doi.org/10.34481/0002000814
9aec5193-8d3a-40eb-ba27-0740a638ff2d
名前 / ファイル ライセンス アクション
53-045.pdf 53-045.pdf (1.1 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2024-10-23
タイトル
タイトル PPT 及びPL 法によるCZTS 太陽電池の欠陥準位およびポテンシャル揺らぎ評価
言語 ja
タイトル
タイトル Evaluation of Defect level and Potential Fluctuation in CZTS Solar Cells by PPT and PL Methods
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 CZTS
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Thin film solar cells
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Defects
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Potential fluctuation
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.34481/0002000814
ID登録タイプ JaLC
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 大山, 博暉

× 大山, 博暉

ja 大山, 博暉

ja-Kana オオヤマ, ヒロキ

en Ohyama, Hiroki

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遠藤, 聡馬

× 遠藤, 聡馬

ja 遠藤, 聡馬

ja-Kana エンドウ, ソウマ

en Endo, Soma

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碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad_Researcher 70113214

ja 碇, 哲雄

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo


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福山, 敦彦

× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad_Researcher 10264368

ja 福山, 敦彦

ja-Kana フクヤマ, アツヒコ

en Fukuyama, Atsuhiko


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Cu2ZnSnS4 (CZTS) has an ideal energy gap (𝐸𝐸g) for solar cells of 1.5 eV and a high optical absorption coefficient, and its constituent elements are non-toxic and abundant on Earth. Therefore, it is attracting attention as a nextgeneration thin-film solar cell material to replace CuInGaSe2 (CIGS). However, the conversion efficiency of CZTS solar cell is smaller than that of CIGS solar cell. This is due to the lower open circuit voltage (VOC) caused by the numerous crystal defects and lattice disorder in CZTS. Therefore, in this paper, we investigated the crystal defects in CZTS that causes the VOC decrease using Piezoelectric Photothermal Spectroscopy (PPT) and Photoluminescence (PL) methods. PPT and PL measurements at room temperature showed that the energy of the PL peak was 190 meV lower than 𝐸𝐸g estimated from the PPT spectrum. This energy difference was corresponding to the sum of the energy levels of two anti-site defects of ZnCu and CuZn. Therefore, we attributed this luminescence to the donor-acceptor pair radiation of ZnCu and CuZn. The PPT and PL spectra indicated unique temperature characteristics, which were attributed to the potential fluctuations in the band structure of CZTS. We investigated the defects responsible for the potential fluctuation from the temperature dependence of 𝐸𝐸g and PL peak.
言語 en
bibliographic_information ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 53, p. 45-50, 発行日 2024-10-23
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 05404924
item_10002_source_id_11
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2024-10-24 05:18:41.410504
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大山, 博暉, 遠藤, 聡馬, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦, 2024, PPT 及びPL 法によるCZTS 太陽電池の欠陥準位およびポテンシャル揺らぎ評価: 宮崎大学工学部, 45–50 p.

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