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シリコンウェハ製造のエッチングプロセスにおける化学反応を伴う流れの数値解析
http://hdl.handle.net/10458/440
http://hdl.handle.net/10458/4404b6adb72-2918-4c44-8052-bf090afedb76
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00004439515.pdf (870.5 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-06-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | シリコンウェハ製造のエッチングプロセスにおける化学反応を伴う流れの数値解析 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Numerical Analysis of Flows with Chemical Reactions in the Etching Process for Silicon Wafers | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Numerical simulation, Flow, Rotated disk, Silicon wafer, Etching process, Chemical reaction | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | シリコン ウェハ セイゾウ ノ エッチング プロセス ニ オケル カガク ハンノウ オ トモナウ ナガレ ノ スウチ カイセキ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
平野, 公孝
× 平野, 公孝× 菊地, 正憲× 外山, 雅士× Toyama, Masao |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Abstract When silicon ingots are cut into silicon wafers, work-affected layers are made on surfaces of the wafers. These layers are removed in the chemical etching process. Recently, requested specifications for the flatness of silicon wafers become threatening. Then, numerical analysis of flows around wafers with chemical reactions is very important. Rotating silicon wafers (circular disks) and stationary circular disks are set coaxially with alternation array in the etching bath. Chemical reaction is composed of two stages. The first stage is oxidation with nitric acid, and the second is hydrofluoric acid treatment. Owing to the CFD results, oxidation with nitric acid is active near the tip of rotated circular disks. Secondary flows between rotating and stationary disks are influenced with sizes of stationary disks. The stationary disks with smaller size make secondary flows decrease. Then, the chemical reaction rate of hydrofluoric acid is enhanced with smaller stationary disks and is speeded up near the tip of the wafer. |
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| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 35, p. 229-236, 発行日 2006-08-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
