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GaAs基板上にMOVPE法で作製した不純物をドープしたInAs格子緩和層のラマン分光法による評価
http://hdl.handle.net/10458/00010270
http://hdl.handle.net/10458/0001027059108a8e-b8c0-4e40-9040-c61f617f2d7e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文 (1.5 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-10-18 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | GaAs基板上にMOVPE法で作製した不純物をドープしたInAs格子緩和層のラマン分光法による評価 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Evaluation of Doped InAs Lattice Relaxation Layers Prepared by MOVPE Method on GaAs Substrate by Raman Scattering | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOVPE | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | InAs/GaSb | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Raman | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Superlattice | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Crystallinity | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
大石, 優貴
× 大石, 優貴× 今村, 優希× 荒井, 昌和× 前田, 幸治× Oishi, Yuki× Imamura, Yuki |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | The crystallinity of the impurity-doped InAs lattice relaxation layer grown by MOVPE method for InAs / GaSb superlattice on GaAs substrate was evaluated by Raman scattering method. It was confirmed that a small amount of Zn doping reduced the disorder of the rystal structure in InAs film and the surface roughness of InAs layer. While it was also found that Se doping was not improved. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 50, p. 75-78, 発行日 2021-09-28 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
大石, 優貴, 今村, 優希, 荒井, 昌和, 前田, 幸治, Oishi, Yuki, Imamura, Yuki, 2021, GaAs基板上にMOVPE法で作製した不純物をドープしたInAs格子緩和層のラマン分光法による評価: 宮崎大学工学部, 75–78 p.
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