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液滴エピタキシー法により作製されたGaAs QDs のサイズが与えるフォトルミネッセンスの温度依存性への影響
http://hdl.handle.net/10458/6702
http://hdl.handle.net/10458/6702f76683ce-f497-4f4c-84f2-ccf4fbe376e6
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文 (1.2 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 液滴エピタキシー法により作製されたGaAs QDs のサイズが与えるフォトルミネッセンスの温度依存性への影響 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Effect of Dot Size on the Temperature-Dependent Photoluminescence Signal in Droplet-Epitaxy-fabricated GaAs Quantum Dots | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Quantum dots, GaAs, AlGaAs, Droplet epitaxy, Photoluminescence, Blue shift | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | エキテキ エピタキシーホウ ニ ヨリ サクセイ サレタGaAs QDs ノ サイズ ガ アタエル フォトルミネッセンス ノ オンド イゾン セイ ヘノ エイキョウ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
江添, 悠平
× 江添, 悠平× 宮内, 雄大× 間野, 高明× 碇, 哲雄× 福山, 敦彦× Ezoe, Yuhei× Miyauchi, Yudai× Mano, Takaaki |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We observed an additional blue-shift of photoluminescence (PL) peak energy in the temperature dependence above 150 K in addition to a well-known red-shift in the GaAs Quantum Dots (QDs) grown by a droplet epitaxy method. Although a red-shift has been explained by a steady state model with the QD size distribution, carrier capture, relaxation, and re-trapping, a blue-shift could not be explained. The frequencies of height and diameter of QDs from an atomic force microscopy observation were investigated and calculated transition energies for each QD size. A calculated maximum frequency for GaAs QDs showed a good agreement with the obtained PL spectrum. Therefore, we concluded that the PL spectrum was caused by the ensemble of several size of QDs. The PL spectrum at 4 K could be decomposed into three peaks with a Gaussian function, corresponding to the large-, middle-, and small-size QDs, respectively. Although the integrated PL intensity for middle-size QDs was the largest up to 200 K, it suddenly decreased and those for middle- and small-size QDs became comparable. As a result, the PL energy as the ensemble of QDs moved to the higher energy side. We concluded that this caused the observed additional blue-shift of PL peak. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 48, p. 51-54, 発行日 2019-07 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
江添, 悠平, 宮内, 雄大, 間野, 高明, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦, Ezoe, Yuhei, Miyauchi, Yudai, Mano, Takaaki, 2019, 液滴エピタキシー法により作製されたGaAs QDs のサイズが与えるフォトルミネッセンスの温度依存性への影響: 宮崎大学工学部, 51–54 p.
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