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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 45号

InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池におけるミニバンド形成過程とその光学的評価

http://hdl.handle.net/10458/00005026
http://hdl.handle.net/10458/00005026
cda9fe7f-f276-4d13-a043-d5df1fd82827
名前 / ファイル ライセンス アクション
p119.pdf 本文 (1.1 MB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-06-21
タイトル
タイトル InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池におけるミニバンド形成過程とその光学的評価
言語 ja
タイトル
タイトル Optical Evaluation of Miniband Formation in InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 松落, 高輝

× 松落, 高輝

WEKO 27272

ja 松落, 高輝

ja-Kana マツオチ, コウキ

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中村, 翼

× 中村, 翼

WEKO 27273

ja 中村, 翼

ja-Kana ナカムラ, ツバサ

en Nakamura, Tsubasa

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武田, 秀明

× 武田, 秀明

WEKO 27274

ja 武田, 秀明

ja-Kana タケダ, ヒデアキ

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杉山, 正和

× 杉山, 正和

WEKO 14226

ja 杉山, 正和

ja-Kana スギヤマ, マサカズ

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中野, 義昭

× 中野, 義昭

WEKO 14227

ja 中野, 義昭

ja-Kana ナカノ, ヨシアキ

en Nakano, Yoshiaki

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碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad 70113214

ja 碇, 哲雄

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo

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福山, 敦彦

× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad 10264368

ja 福山, 敦彦

ja-Kana フクヤマ, アツヒコ

en Fukuyama, Atsuhiko

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K, Toprasertpong

× K, Toprasertpong

WEKO 27279

en K, Toprasertpong

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Matsuochi, Kouki

× Matsuochi, Kouki

WEKO 27280

en Matsuochi, Kouki

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Takeda, Hideaki

× Takeda, Hideaki

WEKO 27282

en Takeda, Hideaki

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Toprasertpong, Kasidit

× Toprasertpong, Kasidit

WEKO 27283

en Toprasertpong, Kasidit

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Sugiyama, Masakazu

× Sugiyama, Masakazu

WEKO 14232

en Sugiyama, Masakazu

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 To investigate the effect of the miniband formation on the optical properties, we adopted three non-destructive methods of piezoelectric photothermal (PPT), photoluminescence (PL), and photoreflectance (PR) spectroscopies for strain-balanced InGaAs/GaAsP superlattice structure inserted GaAs p-i-n solar cells. From PR measurements, a critical energy corresponding to the subband transition of e1-hh1 was estimated for thick barrier samples, whereas two critical energies corresponding to the mini-Brillouin-zone center (Γ) and edge (Π) were obtained for 2.0-nm thin barrier sample. The PPT and PL spectra of 2.0-nm thin barrier sample also showed the different behaviors than thick barrier samples. The peak positions were located at lower photon energy side because of lowering the transition energy between Γ of e1 miniband and hh1. It was confirmed that the miniband formation causes the redshifts of the optical absorption (PPT) and radiative recombination (PL) processes.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 45, p. 119-123, 発行日 2016-07-31
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 04:20:41.938392
Ver.1 2023-05-15 10:33:46.278606
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