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Microstructure of the nitrogen-induced localized state in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy
http://hdl.handle.net/10458/5407
http://hdl.handle.net/10458/540738fee094-e89f-43b4-a2ac-be9f5bdc242a
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Microstructure of the nitrogen-induced localized state in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
福山, 敦彦
× 福山, 敦彦× 丁, 文× 鈴木, 章生× 鈴木, 秀俊× 碇, 哲雄× Ding, Wen× Morioka, G× 鈴木, 章生× Yamaguchi, M |
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| 書誌情報 |
Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th p. 1148-151, 発行日 2014-06 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | IEEE | |||||
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Cite as
福山, 敦彦, 丁, 文, 鈴木, 章生, 鈴木, 秀俊, 碇, 哲雄, Ding, Wen, Morioka, G, 鈴木, 章生, Yamaguchi, M, 2014, Microstructure of the nitrogen-induced localized state in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy: IEEE, 1148–151 p.
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