WEKO3
アイテム
Electrical characteristics of layer semiconductor p-GaSe doped with Cd
http://hdl.handle.net/10458/5311
http://hdl.handle.net/10458/5311722955cd-2b81-457f-9b1b-c46259225275
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Electrical characteristics of layer semiconductor p-GaSe doped with Cd | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Deep level transient spectroscopy, Doping, Electrical properties, II-VI semiconductors, Semiconductors | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 73, 号 9, p. 4686-4688, 発行日 1993-05-01 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00218979 | |||||
