WEKO3
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Nonradiative Investigations of Photoquenching and Recovery of EL2 Defect Levels in Si-GaAs
http://hdl.handle.net/10458/5302
http://hdl.handle.net/10458/5302df20841a-bc30-41d7-8d62-cd8f76d76550
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Nonradiative Investigations of Photoquenching and Recovery of EL2 Defect Levels in Si-GaAs | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | EL2, Enhancement of the PA Signal, GaAs, Photoacoustic Spectroscopy, Photoquenching | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
福山, 敦彦
× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× 明石, 義人× 二神, 光次× Fukayama, Atsuhiko |
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| 書誌情報 |
Materials Science Forum 巻 196-201, 号 2, p. 1031-1036, 発行日 1995-11 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Trans Tech Publications | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02555476 | |||||
