WEKO3
アイテム
Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu
http://hdl.handle.net/10458/5300
http://hdl.handle.net/10458/5300e0470326-c580-4eb7-a759-46996ebc0f97
| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| キーワード | Copper, Valence bands, Doping, Electrical properties, Electron densities of states | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 80, 号 8, p. 4779-4781, 発行日 1996-10-15 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 00218979 | |||||||||||
