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Temperature dependence of photoluminescence of layer semiconductor p-GaTe
http://hdl.handle.net/10458/5292
http://hdl.handle.net/10458/5292d189586f-de60-4435-961f-98743a905b72
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Temperature dependence of photoluminescence of layer semiconductor p-GaTe | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Excitons, Bulk semiconductor, Defects in crystal, GaTe | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× Nishimura, H |
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| 書誌情報 |
Journal of Luminescence 巻 78, 号 2, p. 117–120-117–120, 発行日 1998-03-10 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier Science | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00222313 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, Nishimura, H, 1998, Temperature dependence of photoluminescence of layer semiconductor p-GaTe: Elsevier Science, 117–120-117–120 p.
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