WEKO3
アイテム
Temperature dependence of photoluminescence of layer semiconductor p-GaTe
http://hdl.handle.net/10458/5292
http://hdl.handle.net/10458/5292d189586f-de60-4435-961f-98743a905b72
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Temperature dependence of photoluminescence of layer semiconductor p-GaTe | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| キーワード | Excitons, Bulk semiconductor, Defects in crystal, GaTe | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄
WEKO
7290
× Nishimura, H |
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| 書誌情報 |
Journal of Luminescence 巻 78, 号 2, p. 117–120-117–120, 発行日 1998-03-10 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Elsevier Science | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 00222313 | |||||||||||
