WEKO3
アイテム
Impurity Levels in p-Type Layered Semiconductor InSe Doped with Hg
http://hdl.handle.net/10458/5287
http://hdl.handle.net/10458/5287906241a0-06ff-4338-8647-5d3aa8655951
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Impurity Levels in p-Type Layered Semiconductor InSe Doped with Hg | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
physica status solidi (b) 巻 209, 号 1, p. 93–99-93–99, 発行日 1998-09 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Wiley-VCH Verlag | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03701972 | |||||
