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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 学術雑誌掲載論文 (工学部)

Investigation of deep levels in semi-insulating GaAs by means of a thermally activated piezoelectric photoacoustic measurements

http://hdl.handle.net/10458/5246
http://hdl.handle.net/10458/5246
25281357-15bb-45e8-8046-de0a7904af17
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2020-06-21
タイトル
タイトル Investigation of deep levels in semi-insulating GaAs by means of a thermally activated piezoelectric photoacoustic measurements
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
キーワード Semi-insulating GaAs, Temperature variation of the piezoelectric photoacoustic signal, Deep levels, Nonradiative recombination
資源タイプ
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 metadata only access
著者 碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad_Researcher 70113214

ja 碇, 哲雄
宮崎大学

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo
University of Miyazaki

Search repository
福山, 敦彦

× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad_Researcher 10264368

ja 福山, 敦彦
宮崎大学

ja-Kana フクヤマ, アツヒコ

en Fukuyama, Atsuhiko
University of Miyazaki

Search repository
明石, 義人

× 明石, 義人

WEKO 7725

明石, 義人

ja-Kana アカシ, ヨシト

en Akashi, Yoshito

Search repository
書誌情報 Materials Science in Semiconductor Processing

巻 4, 号 1-3, p. 253–255-253–255, 発行日 2001-02
出版者
出版者 Elsevier Science
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 13698001
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Ver.1 2023-05-15 10:59:38.611700
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