WEKO3
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Investigation of deep levels in semi-insulating GaAs by means of a thermally activated piezoelectric photoacoustic measurements
http://hdl.handle.net/10458/5246
http://hdl.handle.net/10458/524625281357-15bb-45e8-8046-de0a7904af17
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Investigation of deep levels in semi-insulating GaAs by means of a thermally activated piezoelectric photoacoustic measurements | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Semi-insulating GaAs, Temperature variation of the piezoelectric photoacoustic signal, Deep levels, Nonradiative recombination | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
碇, 哲雄
× 碇, 哲雄× 福山, 敦彦× 明石, 義人 |
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| 書誌情報 |
Materials Science in Semiconductor Processing 巻 4, 号 1-3, p. 253–255-253–255, 発行日 2001-02 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier Science | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 13698001 | |||||
