WEKO3
アイテム
Impurity levels in layered semiconductor n-InSe doped with Ge
http://hdl.handle.net/10458/5195
http://hdl.handle.net/10458/5195dbf32dc6-c772-49ac-8889-aca7cb000649
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Impurity levels in layered semiconductor n-InSe doped with Ge | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | 71.55.Ht, 72.20.My, 72.80.Jc, 78.55.Hx | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄 |
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| 書誌情報 |
physica status solidi (b) 巻 236, 号 1, p. 135–142-135–142, 発行日 2003-03 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03701972 | |||||
