WEKO3
アイテム
Impurity levels in layered semiconductor n-InSe doped with Ge
http://hdl.handle.net/10458/5195
http://hdl.handle.net/10458/5195dbf32dc6-c772-49ac-8889-aca7cb000649
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Impurity levels in layered semiconductor n-InSe doped with Ge | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| キーワード | 71.55.Ht, 72.20.My, 72.80.Jc, 78.55.Hx | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄
WEKO
7290
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| 書誌情報 |
physica status solidi (b) 巻 236, 号 1, p. 135–142-135–142, 発行日 2003-03 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 03701972 | |||||||||||
