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Characterization of deep levels in n-type 4H-SiC single crystals by means of a piezoelectric photothermal and a photoluminescence spectroscopy
http://hdl.handle.net/10458/5160
http://hdl.handle.net/10458/5160711a8802-4ef3-4110-8119-250c058a2f7a
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Characterization of deep levels in n-type 4H-SiC single crystals by means of a piezoelectric photothermal and a photoluminescence spectroscopy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | SiC, Deep level, Piezoelectric photothermal technique, Photoluminescence | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
境, 健太郎
× 境, 健太郎× 多田, 晋× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× 多田, 晋 |
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| 書誌情報 |
Physica B: Condensed Matter 巻 340-342, p. 137–140-137–140, 発行日 2003-12 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 09214526 | |||||
